ساخت پاوپوینت با هوش مصنوعی
کم تر از 5 دقیقه با هوش مصنوعی کافه پاورپوینت ، پاورپوینت بسازید
برای شروع ساخت پاورپوینت کلیک کنید
شما در این مسیر هستید :خانه / محصولات /powerpoint / دانلود پاورپوینت بررسی ساختار حافظه هاي فلش (کد17369)
سفارش انجام پاورپوینت - بهترین کیفیت - کم ترین هزینه - تحویل در چند ساعت 09164470871 ای دی e2proir
دانلود پاورپوینت بررسی ساختار حافظه هاي فلش (کد17369)
شناسه محصول و کد فایل : 17369
نوع فایل : Powerpoint پاورپوینت
قابل ویرایش تمامی اسلاید ها دارای اسلاید مستر برای ویرایش سریع و راحت تر
امکان باز کردن فایل در موبایل - لپ تاپ - کامپیوتر و ...
با یک خرید میتوانید بین 342000 پاورپینت ، 25 پاورپوینت را به مدت 7 روز دانلود کنید
هزینه فایل : 105000 : 54000 تومان
فایل های مشابه شاید از این ها هم خوشتان بیاید !!!!
توضیحات محصول دانلود پاورپوینت بررسی ساختار حافظه هاي فلش (کد17369)
دانلود پاورپوینت بررسی ساختار حافظه هاي فلش
دانلود پاورپوینت بررسی ساختار حافظه هاي فلش
مقدمه اي بر ساختار حافظه هاي فلش
عنوان های پاورپوینت بررسی ساختار حافظه هاي فلش عبارتند از :
بررسی ساختار حافظه هاي فلش
مقدمه اي بر ساختار حافظه هاي فلش
حافظه ي فلش چيست ؟
اما به راستي حافظه و به ويژه حافظه ي فلش چيست ؟
شكل 1 – انواع حافظه
جدول 1 – مقايسه ي ويژگي هاي انواع حافظه
نمودار 1 – وضعيت انواع حافظه با فناوري نيمه هادي در بازار جهاني (پيش بيني مؤسسه Web Feet)
انواع حافظه ي فلش :
نمودار 2 – فناوري هاي گوناگون مورد استفاده در معماري حافظه هاي فلش
جدول 2 – فناوري هاي گوناگون دهنده حافظه ي فلش و كمپاني هاي توسعه
معماري NAND و NOR در ساختار حافظه هاي فلش :
شكل 2 – كاربرد حافظه هاي فلش با فناوري NAND و NOR در زندگي روزمره
معماري حافظه هاي با فناوري NOR :
شكل 4 – مقايسه ي سلول حافظه ي NOR و سلول حافظه ي EPROM
شكل 5 – حافظه ي تك بيتي در مقايسه با حافظه ي StrataFlash
بلاك بندي حافظه :
شكل 6 – بلاك بندي حافظه هاي NOR
عمليات استاندارد بر روي حافظه هاي NOR :
عمل خواندن :
شكل 7 – حالت خواندن غيرهمزمان كلمه به كلمه
شكل 8 – حالت خواندن غيرهمزمان صفحه به صفحه
عمل نوشتن :
عمل پاك كردن :
شكل 11 – سلول حافظه ي NOR در حين عمل پاك كردن
قابليت هاي نرم افزاري :
و در پايان نيز مقايسه اي داريم بر روي درآمد ناشي از تجارت حافظه هاي فلش در بازارهاي جهاني تا سال 2007 :
تکه ها و قسمت های اتفاقی از فایل بررسی ساختار حافظه هاي فلش
مقدمه اي بر ساختار حافظه هاي فلش
حافظه ي فلش چيست ؟
سيستم هاي كامپيوتري ، از تجهيزات ساده تا شبكه هاي پيچيده ، شامل اجزاي گوناگون و متنوعي مي باشند : پردازنده ها ، نمايشگرها ، نرم افزارها ، درايورها ، صفحه كليدها ، موشواره ها ، مدارات فيبر چاپي ، سوئيچ ها ، مودم ها ، و البته حافـظه ها تنها چند مورد از آن هاهستند .
اما به راستي حافظه و به ويژه حافظه ي فلش چيست ؟
به طور كلي حافظه عبارتسـت از قابليت نگهداري اطلاعات ديجيتال تحت شرايط معين .
شكل 1 – انواع حافظه
جدول 1 – مقايسه ي ويژگي هاي انواع حافظه
نمودار 1 – وضعيت انواع حافظه با فناوري نيمه هادي در بازار جهاني (پيش بيني مؤسسه Web Feet)
حافظه ي فـلش در واقع نوع تكامل يافته اي از حافظه ي EEPROM بوده و يك حافظه آرايه مانند محسوب مي شـود .
آدرس دهي در اين گونه ازحافظه به جاي بايت در سطح بلاكي انجام مي شود ، از اين رو عمل نوشتـن اطلاعات در آن بسيار سريع تر از حافظه ي EEPROM انجام مي گيرد .
حافظه ي فلش از ترانزيستور هاي با گيت هاي شناور به منظور ذخيره سازي اطلاعات استفاده مي كنـد كه اگر به طور دقيق كنترل شود ، مي توان در هر ترانزيستور 2 بيت داده را ذخيره نمود .
حافظه هاي فلش استاندارد از هر ترانزيستور تنها براي نگهداري يك بيت بهره مي برند، اما چگالي داده در آن ها نسبت به حافظه هاي حساس تر كه در هر ترانزيستور 2 بيت را ذخيره مي كنند ، نصف مي باشد .
انواع حافظه ي فلش :
حافظه ي هاي فلش به نوبه ي خود به انواع مختلفي تقسيم مي شونـد ، ايـن دسته بندي بر اساس فناوري بكار رفته در ساخـت آن ها و درواقع وابسته به نوع گيت هاي سخت افزاري است كه در هر دسته براي ذخيره سازي اطلاعات از آن استفاده مي شـود .
ضمن اينكه نحوه ي خواندن و نوشتن اطلاعات در هر گونه متفاوت است .
از مهمترين اين فناوري ها مي توان به فناوري هاي NOR , DINOR , T-Ploy , AND و NAND اشاره نمود كه هر يك از آن ها به وسيله ي يك يا چند كمپاني عمده توسعه يافته اند . نمودار شماره 2 و جدول شماره 2 اطلاعات بيشتري را در اين باره ارائه مي دهند :
نمودار 2 – فناوري هاي گوناگون مورد استفاده در معماري حافظه هاي فلش
جدول 2 – فناوري هاي گوناگون دهنده حافظه ي فلش و كمپاني هاي توسعه
معماري NAND و NOR در ساختار حافظه هاي فلش :
همانطور كه اشاره شد ، حافظه هاي فلش با معماري مبتني بر NAND و NOR از متداول ترين انواع حافظه هاي فلش هستند و كاربرد آن ها در سطح وسيعي در زندگي روزمره قابل مشاهـده است ؛ شكل شماره 2 گوشه اي از كاربـردهاي عمده ي اين حافظه ها را نمايـش مي دهد .
همانطور كه در اين شكل ديده مي شود ، حافظه هاي با فناوري NOR از نظر كاربرد سطح وسيع تري را پوشش مي دهند ، لذا ما در اينجا ابتدا ساختار داخلي يك حافظه ي فلش با فناوري NOR را اجمالاً بررسي نموده و به دليل شباهت منطقي كه ميان اين ساختار با ساختارحافظه هاي NAND وجود دارد ، از بررسي ساختمان داخلي حافظه هاي فلش با فناوري NAND خودداري كرده و تنها مقايسه اي بين اين دو نوع حافظه انجام خواهيم داد
شكل 2 – كاربرد حافظه هاي فلش با فناوري NAND و NOR در زندگي روزمره
معماري حافظه هاي با فناوري NOR :
سلول هاي اين نوع حافظه ساختاري حافظه هاي EPROM را تداعي مي كند ، گرچه با آن تفاوت هايي دارد . به شكل هاي زير دقت كنيد :
شكل 4 – مقايسه ي سلول حافظه ي NOR و سلول حافظه ي EPROM
هردوي حافظه هاي EPROM و FLASH از دو لايه ي پلي سيليكن استفاده مي كنند ، اولين لايه به وسيله ي يك لايه ي عايق از گيت كنترل جدا شده است ، و گيت كنترل نيز خود با يك لايه ي نازك از جنس اكسيد از لايه ي زيرين تميز داده شده است . اين جداسازي به اولين لايه ي پلي سيليكن (گيت شناور) اين اجازه را مي دهد تا بتواند شارژ الكتريكي را نگهداري كند . دومين لايه ي پلي سيليكن با خط كلمه (wordline) مرتبط بوده و به عنوان يك گيت كنترلي عمل مي كند . به هر حال تفاوت هاي اساسي ميان يك سلول حافظه ي فلش با يك سلول EPROM براي پاك كردن الكتريكي اطلاعات وجود دارد . حافظه هاي فلش يك لايه ي اكسيدي نازك تر ( تقريباً با ضخامت 100 آنگستروم ) و Source ضخيم تر دارند تا بتوانند سرعت عمليات پاك شدن را افزايش دهند .
نوشتن در اين نوع حافظه زماني انجام مي شود كه الكترون ها بر روي گيت شناور قرار گيرند ، شارژ الكتريكي كه بدين طريق در اين گـيت ذخيره مي شود ، به همراه لايه ي اكسيدي ، سلول را قادر مي سازد تا توسط Source به طور الكتريكي پاك شود . در ادامه به طور مفصل اين عمليات را مورد بحث قرار خواهيم داد .
همانطور كه قبلاً نيز اشاره شد ، نوعي از حافظه هاي فلش وجود دارد كه مي تواند از هر ترانزيستور براي ذخيره سازي 2 بيت استفاده كند .
البته ساختار سلول هاي حافظه در اين حالت تفاوتي با آنچه در بالا شرح داده شد ، نـدارد . در حافظه هاي تك بيتي ، هر بيت داده در يك سلول از حافظه ذخيره مي شود (1 به معناي پاك بودن سلول و 0 به معناي برنامه ريزي شدن آن است) . اما فنـاوري دوم كه اصطلاحاً بهMulti-level cell structure موسوم است و در حافظه هاي StrataFlash شركت اينتل به كار گرفته شده است ، امكان ذخيره سازي همزمان 2 بيت را در يك سلول (ترانزيستور) فراهم مي كند . رمز اين كار در دقت بالايي است كه براي خواندن و نوشتن اطلاعات در اين روش به كار گرفته مي شود . نوشتن اطلاعات (توسط ايجاد شارژ الكتريكي) و خواندن آن (بوسيله ي حس كردن آن شارز) بايـد به قدري دقيق باشد كه بتوان در هر ترانزيستور 4 ناحيه ي مجزا (از لحاظ بار الكتريكي) ايجاد كرد .
شكل 5 – حافظه ي تك بيتي در مقايسه با حافظه ي StrataFlash
بلاك بندي حافظه :
بلاك بندي حافظه هاي NOR به دو صورت متقارن و نامتقارن امكان پذير است . انعطاف بالا در شيوه ي بلاك بندي ، امكان ذخيره سازي همزمان كد و داده را بر روي يك دستگاه حافظه ي فلش فراهم مي سازد . بلاك بندي مربوط به بلاك بوت در خانواده ي حافظه هاي فلش به صورت نامتقارن انجام مي شـود تا امكان ذخيره سازي پارامترهاي كوچك و يا Boot Code را داشته باشـد (مانندEEPROM ) . اين بلاك بوت در كنار بلاك هاي بزرگتر كه امكان ذخيره ي كد و داده را دارا مي باشند ، قرار گرفته و استفاده مي شوند
شكل 6 – بلاك بندي حافظه هاي NOR
عمليات استاندارد بر روي حافظه هاي NOR :
عمليات استاندارد قابل انجام بر روي حافظه هاي فلش عباتند از خواندن ، برنامه ريزي و پاك كردن حافظه .
البته براي اينكه بتوانيم حداكثر كارائي را داشته باشيم ، يعني عمليات موردنظر را با صرف كمترين زمان و انرژي انجام دهيم ، عمليات فرعي ديگري نيز توسط برخي كمپاني هاي سازنده ابداع شده كه به دليل عدم جامعيت در اينجا از آن ها صرف نظر كرده و تنها به بررسي موارد استاندارد اكتفا مي كنيم .
عمل خواندن :
در حين عمل خواندن يك بايت يا يك كلمه ي داده از حافظه ي فلش ، رديف آدرس (wordline) به ولتاژ 1 منطقي متصل مي شود . اين حالت باعث روشن شدن سلول هاي پاك شده مي شود ، چون اين سلول ها اجازه ي عبور جريان را از drain به سمت source مي دهند .
اين درحالي است كه سلول هاي نوشته شده در حالت خاموش باقي مانده و تنها يك جريان بسيار ناچيز از drain به سمت source در آن ها عبور مي كند . جريان سلول توسط يك حسگر لمس و تقويت شده و به طور مناسب به خروجي منتقل مي شود .
براي خواندن داده هاي ذخيره شده در يك حافظه ي فلش با فـناوري NOR سه روش عمده موجود است : خوانـدن غـير همزمان كلمه به كلمه ، خواندن غير همزمان صفحه به صفحه ، و خواندن همزمان قطعه به قطعه . رايج ترين روش از بين روش هاي ذكر شده ، روش خواندن غيرهمزمان كلمه به كلمه است . در اين حالت زمان دسترسي به اطلاعات با وقوع لبه ي يك پالس آدرس (ADD) يا لبه ي پايين رونده ي OE#(Output Enable) و يا لبه ي پايين رونده ي CE# (Chip Enable) آغاز مي شود . اين روش براي بيشتر كاربـردها قابل قبول بوده و براي پياده سازي تنها به يك سيستم غيرمبتني بر پالس ساعت نيازمند است ، اما دو روش ديگر كه براي خواندن به كار مي روند ، به اين منظور به يك CPU يا ASIC نياز خواهند داشت .
شكل 7 – حالت خواندن غيرهمزمان كلمه به كلمه
دانلود پاورپوینت بررسی ساختار حافظه هاي فلش
مقدمه اي بر ساختار حافظه هاي فلش
حالت خواندن غيرهمزمان صفحه به صفحه يك روش سريع براي خواندن داده ها در اختيار سيستم هاي حافظه ي غير مبتني بر پالس ساعت قرار مي دهد . در اين حالت داده ها به طور داخلي خوانده شده و در يك بافر با سرعت بسيار بالا قرار مي گيرنـد . در اين مورد نيـز آغاز زمان به داده ها مانند حالت قبل مي باشد ، اما داده هاي باقيمانده در يك صفحه مي توانند در هر زمان كه خطوط آدرس با صفحه ي مورد نظر درحالت toggle قرار گيرند ، در عرض 20 نانوثانيه مورد دسترسي قرار گيرند .
شكل 8 – حالت خواندن غيرهمزمان صفحه به صفحه
اما سريع ترين حالت خواندن ، خواندن همزمان قطعه به قطعه است كه توسط سه پين كنترل اضافي پياده سازي مي شود :CLK# يا همان پالس ساعت ، WAIT#(CPU wait output) و ADV(address valid input) . در اين حالت ، دستگاه ابتداي آدرس را قفل كرده و سپس يك توالي از داده ها را با توجه به پالس ساعت و تنظيمات خواندن ايجاد مي كند ، براي ارتباطات سخت افزاري و تنظيمات خواندن به يك ثبات قابل برنامه ريزي (RCR : read configuration register) نياز خواهيم داشت .
عمل نوشتن :
حافظه ي فلش عمل نوشتن اطلاعات را با ترزيق الكترون به منظور ذخيره ي شارژ الكتريـكي بر روي گيت شناور انجام مي دهد . در حـين عمل نوشتن ، يك ولتاژ بالا (12 ولت) بـر روي گيت كنترل قرار مي گيـرد . اين ولتاژ باعث شكل گيـري يك ناحيه ي معكوس زير لايه ي p-type مي شود (به شكل 10 دقت كنيد) ولتـاژ ناحيه ي drain نيـز به اندازه ي نصف ولتاژ گيت كنترل (6 ولت) افزايش مي يـابد و اين در حالي است كه ناحيه ي source بـه زمين متصل شـده است . افزايش اختـلاف پتانسيل بين drain و source و ناحيـه ي معكوس در p-type باعث افزايش جريان بين drain و source مي شود
عمل پاك كردن :
حافظه ي فلش از يك تونل الكتروني براي آوردن گيت شناور از حالت نوشته شده به حالت پاك شده استفاده مي كند . در اين حالت ناحيه ي Source به يك ولتاژ بالا (12 ولت) متصل مي شود ، گيت كنترلي به زمين (0 ولت) و ناحيه ي drain به جايي متصل نمي شود . ( به شكل 11 دقت كنيد ) ولتاژ مثبت بزرگ ناحيه ي source به دليل بزرگي نسبت به ولتاژ منفي گيت شناور ، باعث عبور الكترون ها از ناحيه اكسيد و جاري شدن آن ها به طرف source مي شود
شكل 11 – سلول حافظه ي NOR در حين عمل پاك كردن
قابليت هاي نرم افزاري :
برخي از كمپاني هاي سازنده ي حافظه هاي فلش اخيراً قابليت ها ي نرم افزاري جديد به محصولات خود افزوده اند كه باعث افزايش سرعت دستيابي به كدها ، افزايش سرعت و كارايي سيستم ، و حفاظت از داده هاي ذخيره شده در حافظه مي شود .
به طور مثال در حافظه هاي توليدي شركت اينتل چند ثبات به طور نرم افزاري اين وظيفه را بر عهده دارند ، از جمله ي آن ها مي توان به ثبات CFI(Common Flash Interface) و ثبات هاي وضعيت اشاره كرد كه باعث افزايش سرعت اجراي كدها مي شوند .
30 تا 70 درصد پروژه | پاورپوینت | سمینار | طرح های کارآفرینی و توجیهی | پایان-نامه | پی دی اف مقاله ( کتاب ) | نقشه | پلان طراحی | های آماده به صورت رایگان میباشد ( word | pdf | docx | doc | )
