342000
پاورپوینت
130560
کاربر
2369700
دانلود فایل
ساخت پاوپوینت با هوش مصنوعی
کم تر از 5 دقیقه با هوش مصنوعی کافه پاورپوینت ، پاورپوینت بسازید
برای شروع ساخت پاورپوینت کلیک کنید
شما در این مسیر هستید :خانه / محصولات /powerpoint / دانلود پاورپوینت آشنایی با المانی سه ترمینالی ( ترانزیستور ) و بررسی کاربرد های آن ها (کد12868)
سفارش انجام پاورپوینت - بهترین کیفیت - کم ترین هزینه - تحویل در چند ساعت 09164470871 ای دی e2proir
دانلود پاورپوینت آشنایی با المانی سه ترمینالی ( ترانزیستور ) و بررسی کاربرد های آن ها (کد12868)
شناسه محصول و کد فایل : 12868
نوع فایل : Powerpoint پاورپوینت
قابل ویرایش تمامی اسلاید ها دارای اسلاید مستر برای ویرایش سریع و راحت تر
امکان باز کردن فایل در موبایل - لپ تاپ - کامپیوتر و ...
با یک خرید میتوانید بین 342000 پاورپینت ، 25 پاورپوینت را به مدت 7 روز دانلود کنید
فایل های مشابه شاید از این ها هم خوشتان بیاید !!!!
دانلود پاورپوینت تحلیل و بررسی مهم‌ترین اهداف انجام مطالعات ژئوفیزیکی در محدوده غار زرین‌آباد (کد12883)
دانلود پاورپوینت آشنایی با مفهوم مشارکت بیماران و بررسی چگونگی رفتار جهت بهبود ایمنی بیمار (کد12870)
دانلود پاورپوینت آشنایی با اصول مهندسی نرم افزار و تفاوت نرم‌افزار و سخت‌افزار و بررسی ساختار و ويژگي سيستمهاي پيچيده (کد12869)
توضیحات محصول دانلود پاورپوینت آشنایی با المانی سه ترمینالی ( ترانزیستور ) و بررسی کاربرد های آن ها (کد12868)
دانلود پاورپوینت آشنایی با المانی سه ترمینالی ( ترانزیستور ) و بررسی کاربرد های آن ها
\nترانزیستور MOSFET
\n\nعنوان های پاورپوینت :
\n\nآشنایی با المانی سه ترمینالی ( ترانزیستور ) و بررسی کاربرد های آن ها
\nترانزیستور MOSFET
\nمقدمه
\nMetal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
\nنحوه عملکرد
\nایجاد کانالی برای عبور جریان
\nترانزیستور NMOS
\nاعمال ولتاژی کوچک به درین و سورس
\nرابطه جریان و ولتاژ
\nافزایش ولتاژ VDS
\nاشباع ترانزیستور
\nبدست آوردن رابطه جریان و ولتاژ ترانزیستور MOSFET
\nجریان در ناحیه تریود
\nجریان در ناحیه اشباع
\nتکنولوژی زیر میکرونی(Sub Micron)
\nترانزیستور MOSFET با کانال (p (PMOS
\nترانزیستور CMOS
\nشمای ترانزیستورها
\nشمای ترانزیستور NMOS
\nعملکرد ترانزیستور در ناحیه زیر ولتاژ آستانه
\nمشخصه iD-VDS
\nمقاومت کانال
\nجریان در ناحیه اشباع
\nاثر محدود بودن مقاومت خروجی
\nاثر تغییر طول کانال در مقدار جریان
\nرابطه جریان خروجی و ولتاژ VDS
\nمقاومت خروجی
\nمدل ترانزیستور با در نظر گرفتن مقاومت خروجی
\nترانزیستور PMOS
\nاثر بدنه
\nاثر حرارت
\nشکست و محافظت از ورودی
\nمدارات MOSFET در حالت کار بصورتDC
\nمثال
\nپاسخ
\nاستفاده از MOSFET در مدارات تقویت کننده
\nمشخصه انتقال ترانزیستور: کار با سیگنال بزرگ
\nبدست آوردن مشخصه انتقال به روش گرافیکی
\nمشخصه ولتاژ vi-vo
\nانتخاب نقطه کار مناسب
\nتحلیل عملکرد تقویت کننده از روی رابطه
\nروشهای مختلف بایاس کردن MOSFET
\nبایاس از طریق ثابت نگه داشتن VGS
\nتغییر جریان بواسطه تغییر در مشخصه های ترانزیستور های مختلف
\nبایاس از طریق ثابت نگه داشتن VG و قرار دادن مقاومت در سورس
\nمدار عملی
\nبایاس از طریق مقاومت فیدبک
\nبایاس از طریق یک منبع جریان ثابت
\nمدار منبع جریان ثابت (Current Mirror)
\nمدل سیگنال کوچک
\nنقطه بایاس DC
\nجریان سیگنال در درین
\nمقدار transconductance
\nگین ولتاژ
\nمثالی از ورودی و خروجی
\nمدار معادل سیگنال کوچک
\nآنالیز سیگنال کوچک
\nمثال
\nپاسخ
\nمدل T
\nمدلT با در نظر گرفتن مقاومت خروجی
\nتقویت کننده های یک طبقه
\nتقویت کننده سورس مشترک
\nمشخصه های تقویت کننده سورس مشترک
\nتاثیر مقاومت خروجی ترانزیستور
\nتقویت کننده سورس مشترک با مقاومت در سورس
\nتقویت کننده گیت مشترک
\nمدل سیگنال کوچک تقویت کننده گیت مشترک
\nمشخصات تقویت کننده گیت مشترک
\nمقایسه تقویت کننده گیت مشترک با سورس مشترک
\nکاربرد تقویت کننده گیت مشترک
\nتقویت کننده درین مشترک و یاSource Follower
\nمدل سیگنال کوچک
\nعملکرد MOSFET بعنوان سوئیچ
\nیک گیت NOT با استفاده از CMOS
\nبدست آوردن نقطه کار
\nنقطه کار برای ورودی صفر
\nمشخصه انتقال گیت معکوس کننده CMOS
\n\n \n\n \n\n\n\nقسمت ها و تکه های اتفاقی از فایل\n\n \n\nبایاس از طریق مقاومت فیدبک\n\nیک راه ساده که برای ترانزیستورهای مجزا بکار میرود استفاده از مقاومت فیدبکی است که درین را به گیت وصل میکند.\n\nمقداراین مقاومت مقدار بسیار بزرگ است (مگا اهم) و صفر بودن جریان گیت باعث میشود تا ولتاژ گیت و درین مساوی شوند.\n\nدر این رابطه نیز اثر فیدبک منفی حاصل از مقاومت degeneration یعنی RD دیده میشود: اگر جریان ID زیاد شود، مقدار VGS کم میشود که به نوبه خود باعث کم شدن جریان ID و خنثی کردن افزایش جریان و یا تثبیت آن میشود.\n\nدر عمل اعمال ورودی به گیت این مدار و دریافت خروجی از آن از طریق خازنهای کوپلینگ انجام میشود.\n\nبایاس از طریق یک منبع جریان ثابت\n\nیک راه ساده برای بایاس کردن ترانزیستور که در مدارات مجتمع کاربرد زیادی دارد استفاده از یک منبع جریان ثابت مطابق شکل زیر است.\n\nدر این مدار یک مقاومت بزرگ RG گیت را به زمین وصل کرده و مقاومت ورودی ترانزیستور را بالا نگه میدارد.\n\nRD مقدارDC خروجی را تعیین کرده و باید بگو نه ای باشد که ترانزیستور از حالت اشباع خارج نشود.\n\nمدار منبع جریان ثابت (Current Mirror)\n\nاز مدار شکل مقابل میتوان بعنوان یک منبع جریان ثابت استفاده کرد. ترانزیستور Q1 که درین آن به سورس وصل شده است، در حالت اشباع به سر میبرد.\n\nجریان این ترانزیستور از طریق دو منبع تامین میشود:\n\nکه برای داشتن یک مقدار مشخص Iref میتوان با استفاده از مشخصه های ترانزیستور Q1 وبا تعیین مقدار مناسبی برای R به جریان مورد نظر رسید.\n\nاز طرفی مقدار VGS ترانزیستور Q2 نیز با Q1 یکسان است لذا با توجه به رابطه جریان میتوان چنین نتیجه گرفت که جریان Q2 با رابطه زیر از جریان Q1 تبعیت میکند.\n\nمدل T\n\nبا اندکی دستکاری در مدل سیگنال کوچک میتوان به مدل جدیدی با نام مدل T رسید.\n\nمدلT با در نظر گرفتن مقاومت خروجی\n\nتقویت کننده های یک طبقه\n\nدر حالت کلی تقویت کننده های یک طبقه شامل یک ترانزیستور و یک مقاومت بار میشود که ترانزیستور در ناحیه اشباع کار میکند. سه نوع آرایش مختلف امکان پذیر میباشد:\n\nتقویت کننده سورس مشترک\n\nیک نمونه متداول از این تقویت کننده در شکل زیر نشان داده شده است.\n\nسورس از طریق یک خازن بزرگ به زمین وصل شده است. این خازن برای سیگنال کوچک بصورت اتصال کوتاه به زمین عمل خواهد نمود. این عمل باعث میشود تا مقاومت خروجی منبع جریان تاثیری در سیگنال نداشته باشد. به این خازن Bypass Capacitor گفته میشود.\n\nمنبع سیگنال نیز از طریق خازن کوپلینگ بزرگی که برای فرکانسهای کاری میتوان آنرا اتصال کوتاه فرض کرد به تقویت کننده وصل میشود تا تاثیری در بایاس نداشته باشد.\n\nخروجی نیز از طریق خازن کوپلینگ دیگری به بار اعمال میشود.\n\nمقاومت بار ممکن است بار نهائی و یا مقاومت ورودی یک طبقه تقویت کننده دیگر باشد.\n\nتاثیر مقاومت خروجی ترانزیستور\n\nمقاومت خروجی ترانزیستور(ro) بین درین وسورس ظاهر میشود. در حالت سیگنال کوچک این مقاومت با RD موازی خواهد شد و در نتیجه تاثیر آن باعث کاهش گین ولتاژ خواهد شد. همچنین مقاومت خروجی را نیز کاهش خواهد داد.\n\nتقویت کننده سورس مشترک با مقاومت در سورس\n\nمقدار مقاومت ورودی این مدار برابر است با:\n\nتقویت کننده گیت مشترک\n\nدر این تقویت کننده گیت به زمین وصل شده و سیگنال از طریق سورس اعمال میشود. خروجی کماکان از درین گرفته میشود. در واقع گیت بصورت ترمینال مشترک بین ورودی و خروجی عمل میکند.\n\nدر این مدار نیازی به RG نیست زیرا گیت مستقیما به زمین وصل شده. ولی ورودی و خروجی همچنان از طریق خازنهای کوپلینگ به مدار متصل میشوند.\n\nمدل سیگنال کوچک تقویت کننده گیت مشترک\n\nنشان دادن مدل سیگنال کوچک با استفاده از مدل T ترانزیستور ساده تر است.\n\nدر این مدل از ro صرفنظر شده است زیرا بعلت وصل کردن خروجی به ورودی بررسی مدار را تا حد بسیار زیادی پیچیده میکند.\n\nاز روی شکل داریم:\n\nمشخصات تقویت کننده گیت مشترک\n\nنسبت ولتاژ ورودی به منبع سیگنال برابر است با\n\nمقدار جریان درین از رابطه زیر بدست می آید:\n\nبرای مقدار ولتاژ خروجی و گین ولتاژ داریم:\n\nمقدار بهره کلی عبارت است از:\n\nمقدار مقاومت خروجی:\n\nمقایسه تقویت کننده گیت مشترک با سورس مشترک\n\nتقویت کننده گیت مشترک non inverting است\n\nدر حالیکه تقویت کننده سورس مشترک مقاومت ورودی بالائی داشت، مقاومت ورودی تقویت کننده گیت مشترک بسیار پائین است.\n\nگین ولتاژ Av برای هر دو تقریبا یکسان است در حالیکه گین ولتاژ کلی برا ی تقویت کننده گیت مشترک به اندازه\n\nکوچکتر است.\n\nکاربرد تقویت کننده گیت مشترک\n\nاگر منبع سیگنال را بصورت منبع جریان در نظر بگیریم، نسبتی از جریان منبع که وارد ترانزیستور میشود از رابطه زیر مشخص میشود\n\nکه اگر باشد داریم:\n\nترانزیستور همین جریان را در خروجی اما با\n\nمقاومت بیشتری ظاهر میکند. لذا میتوان آنرا یک\n\nتقویت کننده جریان با گین واحد فرض کرد.\n\nکاربرد مهم این مدار درمدارات با فرکانس بالاست.\n\nتقویت کننده درین مشترک و یاSource Follower\n\nدر این تقویت کننده درین از لحاظ سیگنالی به زمین وصل شده و بین ورودی و خروجی مشترک خواهد بود. در این مدار نیازی به RD نخواهد بود.\n\nمدل سیگنال کوچک\n\nبرای نشان دادن مدل سیگنال کوچک از مدلT استفاده میکنیم.\n\nمقاومت ورودی برابر است با:\n\nبنا بر این:\n\nکه معمولا RG خیلی بزرگ بوده و\n\nخواهیمداشت:\n\nبرای محاسبه Vo باید توجه داشت که\n\nro با RL موازی قرار میگیرد.\n\nمدل سیگنال کوچک\n\nمقدار گین را میتوان بصورت زیر نوشت:\n\nگین مدار باز را میتوان بصورت زیر نوشت:\n\nمعمولا ro>>1/gm لذا گین مدار باز\n\nبرابر با 1 است. از اینرو بعلت مساوی\n\nبودن ولتاژ سورس و گیت این مدار را\n\nSource Follower مینامند.\n\nگین کلی از رابطه زیر بدست می آید:\n\nمدل سیگنال کوچک\n\nبرای محاسبه مقاومت خروجی از مدار شکل زیر استفاده میشود.\n\nکه در عمل داریم:\n\nاین مدار دارای مقاومت ورودی زیاد، مقاومت خروجی کم و گین تقریبا واحد است.\n\nلذا از آن در مدارات طبقه اول و یا آخر تقویت کننده های مجتمع استفاده میشود.\n\nعملکرد MOSFET بعنوان سوئیچ\n\nبرای استفاده از ترانزیستور بعنوان سوئیچ، ورودی طوری اعمال میشود که ترانزیستور در حالت قطع و یا تریود کار کند. (Vi=VDD)\n\nیک گیت NOT با استفاده از CMOS\n\nشکل مقابل یک مدار ساده برای ساخت معکوس کننده با استفاده از تکنولوژی CMOS را نشان میدهد.\n\nوقتی ورودی است داریم:\n\nبرای پیدا کردن نقطه کار ترانزیستور\n\nباید منحنی مشخصه هر دو را با هم تلاقی\n\nدهیم. برای ترانزیستور P این منحنی\n\nبصورت یک خط راست با مقدار جریان\n\nصفر است.\n\nبدست آوردن نقطه کار\n\nنقطه کار در محلی با مقدار ولتاژ و جریان نزدیک به صفر خواهد بود. ترانزیستور N یک مسیر با مقاومت کم بین خروجی و زمین بوجود می آورد.\n\nنقطه کار برای ورودی صفر\n\nاگر Vi=0 انتخاب شود، نقطه کار مطابق شکل زیر در محلی با ولتاژ نزدیک VDD و جریان نزدیک به صفر خواهد بود.\n\nتوجه شود که در هر دو حالت مقدار جریان ترانزیستور بسیار کم است.\n\n \n\n \n\n30 تا 70 درصد پروژه | پاورپوینت | سمینار | طرح های کارآفرینی و توجیهی | پایان-نامه | پی دی اف مقاله ( کتاب ) | نقشه | پلان طراحی | های آماده به صورت رایگان میباشد ( word | pdf | docx | doc )
